STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт

ST Microelectronics
STGW80H65DFB
457,00
р.
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт

Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В

Макс. ток коллектора: 120 А

Импульсный ток коллектора макс.: 240 А

Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт

Переключаемая энергия: 2.1 мДж

Корпус: TO-247

Made on
Tilda